BC33725TFR NPN Transistor, 800 mA, 50 V, 3-Pin TO-92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014595334
- Артикул
- BC33725TFR
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Case
- TO92
- Mounting
- THT
- Frequency
- 100MHz
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 41 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
ON Semiconductor BC337 представляет собой NPN-эпитаксиальный кремниевый транзистор. Тип корпуса этого транзистора - TO-92 и 3 номера выводов.
Технические параметры
| Case | TO92 |
| Mounting | THT |
| Frequency | 100MHz |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 4.7 mm |
| Серия | BC337 |
| Current gain | 100…400 |
| Manufacturer | ONSEMI |
| Package Type | TO-92 |
| Polarisation | bipolar |
| Высота | 4.7 mm |
| Корпус | TO-92 |
| Ширина | 3.93 mm |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of package | reel, tape |
| Transistor Type | NPN |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Collector current | 0.8A |
| Power dissipation | 0.625W |
| Type of transistor | NPN |
| Структура | npn |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Transistors |
| Collector-emitter voltage | 45V |
| Maximum Power Dissipation | 625 mW |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Упаковка / блок | TO-92-3 Kinked Lead |
| Maximum DC Collector Current | 800 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Collector Base Voltage | 10 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 50 V |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Полярность транзистора | NPN |
| Pd - рассеивание мощности | 625 mW |
| Размер фабричной упаковки | 2000 |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.8 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.625 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 800 mA |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 700 mV |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э макс | 400 |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 630 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |