BC32725BU, Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062226039
- Артикул
- BC32725BU
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Type
- PNP
- Brand:
- onsemi/Fairchild
- EU RoHS
- Compliant
Цена по запросу
(от 21,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: PNP, биполярный, 45В, 0,8А, 625мВт, TO92 Характеристики Категория Транзистор Тип биполярный Вид PNP
Технические параметры
| PPAP | No |
| Type | PNP |
| Brand: | onsemi/Fairchild |
| EU RoHS | Compliant |
| Series: | BC327 |
| Category | Bipolar Small Signal |
| Material | Si |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Frequency | 100(MHz) |
| Packaging | Bag |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Packaging: | Bulk |
| Вес, г | 0.2 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Output Power | Not Required(W) |
| Package Type | TO-92 |
| Rad Hardened | No |
| Subcategory: | Transistors |
| Корпус | TO-92 |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-92-3 |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
| Configuration: | Single |
| DC Current Gain | 160 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Part # Aliases: | BC32725BU_NL |
| Product Category | Bipolar Small Signal |
| Supplier Package | TO-92 |
| Power Dissipation | 0.625(W) |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | pnp |
| Transistor Polarity | PNP |
| Emitter-Base Voltage | 5(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Transistor Polarity: | PNP |
| Standard Package Name | TO |
| Collector Current (DC) | 0.8(A) |
| Minimum DC Current Gain | 160@100mA@1V|100@300mA@1V |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| DC Current Gain hFE Max: | 630 |
| Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Continuous Collector Current: | -800 mA |
| Maximum DC Collector Current: | 800 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 625 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum DC Collector Current (A) | 0.8 |
| Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
| Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Typ) |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 45 V |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 700 mV |
| Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 45 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 10000 |
| Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.7@50mA@500mA |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 625мВт | 0.625 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 160 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э макс | 400 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 260 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 45 |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 50 |