B2M065120H, Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 33A; Idm: 85A; 250W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025943350
- Артикул
- B2M065120H
- Бренд
- BASiC Semiconductor
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 6.28
Цена по запросу
(от 1 768,68 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.28 |
| Gate charge | 60nC |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 33A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -4…18V |
| On-state resistance | 65mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 85A |
| Особенности | высоковольтный |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 145mΩ@12A, 10V |