B1M080120HC, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 44А; TO247-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014327036
- Артикул
- B1M080120HC
- Бренд
- BASiC Semiconductor
- Case
- TO247-3
- Mounting
- THT
- Technology
- SiC
- Вес, г
- 6.26
Цена по запросу
(от 3 780 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | TO247-3 |
| Mounting | THT |
| Technology | SiC |
| Вес, г | 6.26 |
| Gate charge | 149nC |
| Manufacturer | BASiC SEMICONDUCTOR |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | to247 |
| Drain current | 27A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 241W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | -5…20V |
| On-state resistance | 80mΩ |
| Drain-source voltage | 1.2kV |
| Pulsed drain current | 80A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@4mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 44 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |