AUIRLR2905Z, Trans MOSFET N-CH Si 55V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002238750
- Артикул
- AUIRLR2905Z
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon/IR
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.3 mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, W-диод,N-канал,55 В, 42 А,DPAK; Полярность транзистора: N-канал; Постоянный ток стока Id: 60 А; Напряжение источника стока Vds: 55 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,011 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1 В; Рассеиваемая мощность Pd: 110 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-252; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Без SVHC (27 июня 2018 г.); Эксплуатационная Минимальная температура: -55°C; Диапазон рабочиx температур: от -55°C до +175°C; Максимальное напряжение Vgs: 16 В
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | HEXFET |
| Fall Time | 33 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 130 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 23 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 110 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 110 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 16 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -16 V, +16 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 22.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 60 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |