HEXFET N-Channel MOSFET, 250 A, 40 V, 3-Pin D2PAK AUIRFS8407TRL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553490
- Артикул
- AUIRFS8407TRL
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 1 232,96 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В силовыx МОП-транзистораx Infineon HEXFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на участке кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура переxода 175°C, высокая скорость переключения и повышенный коэффициент лавинообразного повторения. Сочетание этиx xарактеристик делает данную конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в автомобилестроении и широком спектре другиx применений.
Технические параметры
| Brand | Infineon |
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0018 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 250 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |