Моя заявка (0)

HEXFET N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V, 3-Pin D2PAK AUIRFS3107TRL

HEXFET N-Channel MOSFET, 260 A, 75 V, 3-Pin D2PAK AUIRFS3107TRL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8022409749
Артикул
AUIRFS3107TRL
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Brand:
Infineon Technologies
Pin Count
3
Fall Time:
100 ns
Rise Time:
110 ns
Цена по запросу
(от 900 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Автомобильный одноканальный МОП-транзистор Infineon automotive 75 В с шестигранной головкой выполнен в корпусе D2-Pak. Максимальный постоянный ток разряда составляет 195 А.

Технические параметры

Brand:Infineon Technologies
Pin Count3
Fall Time:100 ns
Rise Time:110 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Infineon
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Part # Aliases:AUIRFS3107TRL SP001521708
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:160 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:370 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-On Delay Time:19 ns
Maximum Drain Source Voltage75 V
Typical Turn-Off Delay Time:99 ns
Id - Continuous Drain Current:260 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:230 S
Maximum Continuous Drain Current260 A
Rds On - Drain-Source Resistance:2.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:75 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А260
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт370
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация