HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 11 A, 55 V, 3-Pin DPAK AUIRFR9024NTRL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8019842728
- Артикул
- AUIRFR9024NTRL
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Длина:
- 6.5 mm
Цена по запросу
(от 423,61 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзисторе Infineon power MOSFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Длина: | 6.5 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Высота: | 2.3 mm |
| Ширина: | 6.22 mm |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 37 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Квалификация: | AEC-Q101 |
| Конфигурация: | Single |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Производитель: | Infineon |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Торговая марка: | Infineon / IR |
| Упаковка / блок: | TO-252-3 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 1 P-Channel |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.000175 Ω |
| Qg - заряд затвора: | 12.7 nC |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Время нарастания: | 55 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 1 Channel |
| Полярность транзистора: | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 38 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 11 A |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 175 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 55 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 13 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 2.5 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |