HEXFET N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V, 3-Pin DPAK AUIRFR540Z
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553488
- Артикул
- AUIRFR540Z
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- RoHS
- Details
- Brand
- Infineon/IR
- Width
- 6.22 mm
- Height
- 2.3 mm
Цена по запросу
(от 556,19 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В мощныx МОП-транзистораx Infineon HEXFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого сопротивления на одной площади кремния.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | Infineon/IR |
| Width | 6.22 mm |
| Height | 2.3 mm |
| Length | 6.5 mm |
| Series | HEXFET |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 35 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0285 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 35 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 22.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |