Моя заявка (0)

AUIRFR5305TRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -22А; Idm: -110А; 110Вт

AUIRFR5305TRL, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -55В; -22А; Idm: -110А; 110Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070226446
Артикул
AUIRFR5305TRL
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
0.42
Длина
6.5 mm
Цена по запросу
(от 265,36 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г0.42
Длина6.5 mm
Channel TypeP
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада63 ns
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 P-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Qg - заряд затвора63 nC
Maximum Drain Source Resistance0.065 Ω
Время нарастания66 ns
Maximum Continuous Drain Current31 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораP-Channel
Pd - рассеивание мощности110 W
Id - непрерывный ток утечки31 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток65 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения39 ns
Типичное время задержки при включении14 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.8 S

Техническая документация