Моя заявка (0)

HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 9.3 A, 250 V, 3-Pin DPAK AUIRFR4292TRL

HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 9.3 A, 250 V, 3-Pin DPAK AUIRFR4292TRL

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014564495
Артикул
AUIRFR4292TRL
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1
Длина
6.5 mm
Цена по запросу
(от 478,58 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

В МОП-транзисторе Infineon power MOSFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния.

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1
Длина6.5 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Высота2.3 mm
Ширина6.22 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада8.4 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-252-3
Maximum Drain Source Voltage250 V
Канальный режимEnhancement
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Qg - заряд затвора13 nC
Maximum Drain Source Resistance0.345 Ω
Время нарастания15 ns
Maximum Continuous Drain Current9.3 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности100 W
Id - непрерывный ток утечки9.3 A
Размер фабричной упаковки3000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток275 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения16 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А9.3
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.6.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт100
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация