HEXFET Dual Silicon N-Channel MOSFET, 70 A, 40 V, 8-Pin PQFN 5 x 6 AUIRFN8459TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017152566
- Артикул
- AUIRFN8459TR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon/IR
- Series
- AUIRF
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 42 ns
Цена по запросу
(от 523,85 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Мощный MOSFET Infineon с двумя n-канальными шестигранными транзисторами в корпусе PQFN размером 5 x 6 l обеспечивает лавинообразную повторяемость до Tjmax.
Технические параметры
| Brand: | Infineon/IR |
| Series | AUIRF |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 42 ns |
| Rise Time: | 55 ns |
| Вес, г | 0.03 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PQFN 5x6 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PQFN-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | AUIRFN8459TR SP001517406 |
| Transistor Type: | 2 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 40 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 50 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 66 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0059 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |