Моя заявка (0)

AUIRF9Z34N, Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

AUIRF9Z34N, Trans MOSFET P-CH Si 55V 19A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8047967554
Артикул
AUIRF9Z34N
Бренд
International Rectifier
Tab
Tab
PPAP
Unknown
Material
Si
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 230 ₽)
Минимальный заказ: 331 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET P-CH Si 55V 19A Автомобильный AEC-Q101 с 3-контактным разъемом (3+ язычка) для подключения к 220AB

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
MaterialSi
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.83(Max)mm
Package Length10.67(Max)mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
Process TechnologyHEXFET
СтруктураMOSFET
Standard Package NameTO
Typical Fall Time (ns)41
Typical Rise Time (ns)55
Особенностиавтомобильные приложения
Supplier Temperature GradeAutomotive
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)68000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)35(Max)
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)35(Max)@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)13
Maximum Drain Source Voltage (V)55
Typical Turn-Off Delay Time (ns)30
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)19
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)620@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)100@10V
Крутизна характеристики, S4.2
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация