AUIRF7769L2TR, 100V 375A 3.5mOhm@74A,10V null DIrectFET MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070081591
- Артикул
- AUIRF7769L2TR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand:
- Infineon Technologies
- Fall Time:
- 41 ns
- Rise Time:
- 32 ns
- Вес, г
- 1.08
Цена по запросу
(от 1 147,76 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Fall Time: | 41 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 1.08 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DirectFET-L8 |
| Part # Aliases: | AUIRF7769L2TR SP001522786 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 3.3W;125W |
| Pd - Power Dissipation: | 125 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 300nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 44 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 11.56nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 92 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 375A |
| Id - Continuous Drain Current: | 124 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 410 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |