HEXFET N-Channel MOSFET, 18 A, 150 V DirectFET ISOMETRIC AUIRF7675M2TR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014553486
- Артикул
- AUIRF7675M2TR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Вес, г
- 1
- Длина
- 6.35 mm
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 600,83 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Infineon сочетает в себе новейшую автомобильную кремниевую теxнологию HEXFET Power MOSFET с передовой упаковочной платформой для создания лучшей в своем классе детали для автомобильныx аудиоусилителей класса D.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Вес, г | 1 |
| Длина | 6.35 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DirectFET ISOMETRIC |
| Высота | 0.74 mm |
| Ширина | 3.95 mm |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single Quad Drain Dual Source |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | DirectFET-M2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 150 V |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Qg - заряд затвора | 21 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.056 O |
| Время нарастания | 13 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 18 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 45 W |
| Другие названия товара № | SP001522164 |
| Id - непрерывный ток утечки | 18 A |
| Размер фабричной упаковки | 4800 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 47 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 14 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 150 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 45 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |