AUIRF7669L2TR, Транзистор N-МОП, полевой, 100В, 114А, 100Вт, DIRectFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061881421
- Артикул
- AUIRF7669L2TR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- Brand:
- Infineon Technologies
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 1 200 ₽)
Минимальный заказ: 4000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы напряжением от 75 В до 100 В Автомобильные N-канальные МОП-транзисторы Infineon Technologies напряжением от 75 В до 100 В соответствуют стандарту AEC-Q101 для применения в автомобилестроении и доступны в широком диапазоне типов корпусов, включая D-PAK, TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8) и SSO8 (TDSON-8). Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для систем впрыска топлива, беспроводной зарядки в автомобиле и подсистемы питания C02 напряжением 48 В, снижающей выбросы вредныx веществ, известной как Board Net.
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| Brand: | Infineon Technologies |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 15 |
| Automotive | Yes |
| Fall Time: | 14 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 30 ns |
| Вес, г | 0.43 |
| PCB changed | 15 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Octal Source Dual Drain |
| Manufacturer: | Infineon |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DirectFET-L8 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | Direct-FET L8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 5 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 120 nC |
| Process Technology | DirectFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 14 |
| Typical Rise Time (ns) | 30 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 W |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 114 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3300 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 81 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 81@10V |
| Forward Transconductance - Min: | 90 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 15 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 27 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.5 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 19 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 5660@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 4.4@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 4000 |