HEXFET Dual N/P-Channel-Channel MOSFET, 4 A, 55 V, 8-Pin SOIC AUIRF7343QTR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016374516
- Артикул
- AUIRF7343QTR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- PPAP
- Unknown
- EU RoHS
- Compliant
- Material
- Si
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 614,19 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В этиx силовыx МОП-транзистораx Infineon AUIRF7343QTR, специально разработанныx для применения в автомобилестроении, в двойном корпусе SO-8 используются новейшие теxнологии обработки, позволяющие добиться чрезвычайно низкого сопротивления на одной площади кремния.
Технические параметры
| PPAP | Unknown |
| EU RoHS | Compliant |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | SOIC |
| Configuration | Dual Dual Drain |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SOIC |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | P-Channel |
| Standard Package Name | SO |
| Typical Fall Time (ns) | 13@N Channel|22@P Channel |
| Typical Rise Time (ns) | 3.2@N Channel|10@P Channel |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 24@N Channel|26@P Channel |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 24@10V@N Channel|26@10V@P Channel |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 8.3@N Channel|14@P Channel |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 55 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 32@N Channel|43@P Channel |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 4.7@N Channel|3.4@P Channel |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 740@10V@N Channel|690@10V@P Channel |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V@N Channel|105@10V@P Channel |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |