AUIRF7341QTR, Транзистор N-МОП x2, полевой, HEXFET, 55В, 5,1А, 2,4Вт, SO8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070176111
- Артикул
- AUIRF7341QTR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Brand
- Infineon/IR
- Series
- HEXFET
- Fall Time
- 12.5 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 522,33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Infineon HEXFET в двойном корпусе SO-8 использует новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Brand | Infineon/IR |
| Series | HEXFET |
| Fall Time | 12.5 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 8 |
| Rise Time | 7.7 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.17 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Infineon |
| Package Type | SO-8 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SO-8 |
| Part # Aliases | SP001515768 |
| Transistor Type | 2 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 29 nC |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.2 ns |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 31 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 55 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.5 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 65 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |