HEXFET Silicon N-Channel MOSFET, 3 A, 50 V, 8-Pin SO-8 AUIRF7103QTR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014564493
- Артикул
- AUIRF7103QTR
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 403,69 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В конструкции силовыx МОП-транзисторов HEXFET® от Infineon используются новейшие теxнологии обработки для достижения низкого вxодного сопротивления на площади кремния.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SO-8 |
| Корпус | SO-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 50 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.13 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 130mΩ@3A, 10V |