AUIRF4905S, Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube Automotive AEC-Q101
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002239258
- Артикул
- AUIRF4905S
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- SVHC
- Yes
- Material
- Si
Цена по запросу
(от 1 050 ₽)
Минимальный заказ: 16 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор, AECQ101. P CH, 55V, 42A, TO263AB; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -42A; Напряжение источника стока Vds: -55 В; Сопротивление включения Rds(вкл.): 0,02Ом; Испытательное напряжение Rds (вкл.) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-4 В; Мощность Мощность рассеивания: 170 Вт; Тип корпуса транзистора: TO-263AB; Количество контактов: 3; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции: Серия HEXFET; Автомобильный квалификационный стандарт: AEC-Q101; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC: Без SVHC (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| SVHC | Yes |
| Material | Si |
| Military | No |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 1.5 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Obsolete |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Configuration | Single |
| Package Width | 9.65(Max)mm |
| Package Length | 10.67(Max)mm |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | D2PAK |
| Maximum IDSS (uA) | 25 |
| Power Dissipation | 170Вт |
| Process Technology | HEXFET |
| Структура | MOSFET |
| AEC Qualified Number | AEC-Q101 |
| Standard Package Name | TO-263 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 64 |
| Typical Rise Time (ns) | 99 |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 170000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 120@10V |
| Maximum Gate-Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 20 |
| Drain Source On State Resistance | 0.02Ом |
| Maximum Drain-Source Voltage (V) | 55 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 170000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 120 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 120@10V |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 51 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Линейка Продукции | HEXFET |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 55 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 70 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 3500@25V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 70 |
| Maximum Drain-Source Resistance (mOhm) | 20@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 3500@25V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 20@10V |
| Maximum Gate-Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Непрерывный Ток Стока | 70А |
| Рассеиваемая Мощность | 170Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 55В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263AB |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 55 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.02Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 170 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |