Моя заявка (0)

AUIRF3205Z, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 110А, 170Вт, TO220AB

AUIRF3205Z, Транзистор N-МОП, полевой, HEXFET, 55В, 110А, 170Вт, TO220AB

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070102827
Артикул
AUIRF3205Z
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Width
4.83mm
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1.97
Цена по запросу
(от 329,52 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms

Технические параметры

Width4.83mm
SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1.97
Длина10 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220AB
Высота15.65 mm
Ширина4.4 mm
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада67 ns
Тип продуктаMOSFET
Transistor ConfigurationSingle
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Maximum Power Dissipation170 W
Typical Gate Charge @ Vgs76 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаInfineon / IR
Упаковка / блокTO-220-3
Maximum Drain Source Voltage55 V
Maximum Operating Temperature+175 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Minimum Gate Threshold Voltage2V
Qg - заряд затвора76 nC
Maximum Drain Source Resistance6.5 mΩ
Время нарастания95 ns
Maximum Continuous Drain Current110 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности170 W
Другие названия товара №SP001518518
Id - непрерывный ток утечки110 A
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток6.5 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток55 V
Минимальная рабочая температура55 C
Типичное время задержки выключения45 ns
Типичное время задержки при включении18 ns

Техническая документация