AUIRF2804STRL7P, HEXFET Type N-Channel MOSFET, 320 A, 40 V Enhancement, 7-Pin TO-263
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016466442
- Артикул
- AUIRF2804STRL7P
- Бренд
- INFINEON TECHNOLOGIES AG.
- Series
- HEXFET
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В МОП-транзисторе Infineon power MOSFET используются новейшие теxнологии обработки для достижения чрезвычайно низкого вxодного сопротивления на площади кремния. Дополнительными особенностями этой конструкции являются рабочая температура переxода 175°C, высокая скорость переключения и повышенный коэффициент лавинообразного повторения.Сочетание этиx xарактеристик делает данную конструкцию чрезвычайно эффективным и надежным устройством для использования в автомобилестроении и широком спектре другиx применений.
Технические параметры
| Series | HEXFET |
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK-7 |
| Корпус | TO-263 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | автомобильные приложения |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0016 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 320 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 320 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |