Моя заявка (0)

AUIRF2804STRL, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

AUIRF2804STRL, Power MOSFET, N Channel, 40 V, 195 A, 0.0015 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012544342
Артикул
AUIRF2804STRL
Бренд
INFINEON TECHNOLOGIES AG.
Series
HEXFET
Pin Count
3
Вес, г
1.43
Длина
10 mm
Цена по запросу
(от 1 030 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms

Технические параметры

SeriesHEXFET
Pin Count3
Вес, г1.43
Длина10 mm
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeD2PAK(TO-263)
Высота4.4 mm
КорпусTO-263
Ширина9.25 mm
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада130 ns
Особенностиавтомобильные приложения
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip2
Торговая маркаInfineon Technologies
Упаковка / блокTO-263-3
Maximum Drain Source Voltage40 V
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Maximum Gate Threshold Voltage4V
Maximum Drain Source Resistance0.002 o
Время нарастания120 ns
Maximum Continuous Drain Current270 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности300 W
Другие названия товара №SP001521004
Id - непрерывный ток утечки44 A
Размер фабричной упаковки800
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток2.3 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения130 ns
Типичное время задержки при включении13 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А195
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт300
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0015 Ом

Техническая документация