ATP113-TL-H,Power MOSFET, P Channel, 60 V, 35 A, 0.0225 ohm, ATPAK, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003141332
- Артикул
- ATP113-TL-H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.4
Цена по запросу
(от 326 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
P-канал 60 В 35 А (Ta) 50 Вт (Tc) для поверxностного монтажа ATPAK
Технические параметры
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.4 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | ATPAK(2 Leads+Tab) |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29.5mOhm @ 18A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 50W(Tc) |
| Supplier Device Package | ATPAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2400 pF @ 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A(Ta) |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0225 Ом |