ATM2N65TE, 650V 2A 3.9-@10V,1A 28W 4V@250uA 9pF@15V N Channel 320pF@25V 45nC@10V +150-@(Tj) TO-252-2 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015937251
- Артикул
- ATM2N65TE
- Бренд
- Agertech
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.49
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 52 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
650 В 2 А 3.9Ohm@10V,1A 28 Вт 4 В при 250 мкА N-канальный TO-252-2 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.49 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 28W |
| Особенности | высоковольтный |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 320pF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.9Ω@10V, 1A |