ASDM68N80KQ-R, 68V 80A 7.7m-@10V,30A 120W 4V@250uA 540pF@34V N Channel 3360pF@34V 70nC@10V -55-~+175-@(Tj) TO-252 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015812835
- Артикул
- ASDM68N80KQ-R
- Бренд
- Ascend
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.48
- Корпус
- TO-252
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 33,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
68 В 80 А 7.7mOhm@10V,30 120 Вт, 4 В при 250 мкА, N-канальный TO-252 МОП-транзистора, соответствующий требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.48 |
| Корпус | TO-252 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+175℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 120W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.36nF@34V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 540pF@34V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 68 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 120 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.7mΩ@10V, 30A |