ASDM40R009NQ-R, 40V 200A 114W 1.1m-@10V,100A 2V@250uA 81pF@20V N Channel 5400pF@20V 45nC@10V -55-~+150-@(Tj) PDFN-8(5x6) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015812806
- Артикул
- ASDM40R009NQ-R
- Бренд
- Ascend
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.23
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 104,32 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
40 В 200 А 114 Вт 1.1mOhm@10V,100A 2 В при 250 мкА N-канальные полевые транзисторы DFN-5 (4.9x5.9) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.23 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 114W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.4nF@20V |
| Continuous Drain Current (Id) | 200A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 81pF@20V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 200 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 114 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.1mΩ@10V, 100A |