ASDM30N65E-R, 30V 32A 4.5m-@10V,20A 25W 1.7V@250uA 55pF@15V N Channel 1.113nF@15V 9nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015813669
- Артикул
- ASDM30N65E-R
- Бренд
- Ascend
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.11
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 22,71 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 32 А 4.5mOhm@10V,2025 Вт 1.7V@250uA N-канальные МОП-транзисторы DFN-8-EP(3.3x3.3) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.11 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 25W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 9nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.113nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 32A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 55pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 32 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.5mΩ@10V, 20A |