ASDM30N55E-R, 30V 55A 4.8m-@10V,30A 40W 1.5V@250uA 305pF@15V N Channel 3.105nF@15V 31.6nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(3.3x3.3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015813778
- Артикул
- ASDM30N55E-R
- Бренд
- Ascend
- Type
- N Channel
- Вес, г
- 0.11
- Структура
- N-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 16,65 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В 55 А 4.8mOhm@10V,3040 Вт 1.5V@250uA N-канальные полевые транзисторы DFN-8(3x3,3) ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Вес, г | 0.11 |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 40W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 31.6nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3.105nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 55A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 305pF@15V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.8mΩ@10V, 30A |