Моя заявка (0)

ASDM20N100Q-R, 20V 100A 1.3m-@10V,20A 83W 2V@250uA 325pF@15V N Channel 6384pF@15V 12.5nC@10V -55-~+150-@(Tj) DFN-8(5x6) MOSFETs

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015813047
Артикул
ASDM20N100Q-R
Бренд
Ascend
Type
N Channel
Вес, г
0.16
Структура
N-Channel
Operating Temperature
-55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 38 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.16
СтруктураN-Channel
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)83W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)12.5nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)6.384nF@15V
Continuous Drain Current (Id)100A
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)325pF@15V
Пороговое напряжение на затворе2V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.3mΩ@10V, 20A

Техническая документация