ARF476FL, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 500 V 400 W 65 MHz T3C
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005648151
- Артикул
- ARF476FL
- Бренд
- Microchip Technology
- Gain:
- 15 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 36 210 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 15 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 4.1 ns |
| Вес, г | 14 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Manufacturer: | Microchip |
| Output Power: | 900 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Operating Frequency: | 150 MHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 910 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | +30 V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 10 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 400 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |