Моя заявка (0)

ARF461BG, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 150 W 65 MHz TO-247 Common Source

нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005439600
Артикул
ARF461BG
Бренд
Microchip Technology
Gain:
13 dB
Type:
RF Power MOSFET
Brand:
Microchip Technology
Тип
RF Power MOSFET
Цена по запросу
(от 14 030 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

РЧ МОП-транзисторы FG, MOSFET, 1000V, TO-247, RoHS

Технические параметры

Gain:13 dB
Type:RF Power MOSFET
Brand:Microchip Technology
ТипRF Power MOSFET
Packaging:Tube
Вес, г13
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
КорпусTO-247
Manufacturer:Microchip
Output Power:150 W
Product Type:RF MOSFET Transistors
Mounting Style:Through Hole
УпаковкаTube
Усиление13 dB
Product Category:RF MOSFET Transistors
Number of Channels:1 Channel
Operating Frequency:65 MHz
Transistor Polarity:N-Channel
ТехнологияSi
Factory Pack Quantity:1
Pd - Power Dissipation:250 W
Тип продуктаRF MOSFET Transistors
ПодкатегорияMOSFETs
Vgs - Gate-Source Voltage:+30 V
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Рабочая частота65 MHz
Id - Continuous Drain Current:6.5 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:3 mS
Выходная мощность150 W
Категория продуктаРЧ МОП-транзисторы
Количество каналов1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности250 W
Id - непрерывный ток утечки6.5 A
Размер фабричной упаковки1
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3 mS
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц65

Техническая документация