ARF1510, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004581600
- Артикул
- ARF1510
- Бренд
- Microchip Technology
- Тип
- RF Power MOSFET
- Вес, г
- 1
- Усиление
- 17 dB
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 75 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
РЧ МОП-транзисторы RF MOSFET (VDMOS)
Технические параметры
| Тип | RF Power MOSFET |
| Вес, г | 1 |
| Усиление | 17 dB |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | высокочастотный |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microsemi |
| Рабочая частота | 40 MHz |
| Время нарастания | 5 ns |
| Выходная мощность | 750 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.5 kW |
| Id - непрерывный ток утечки | 8 A |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Диапазон рабочих температур | 55 C to + 175 C |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1 kV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3 mS |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 750 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 350mΩ@890mA, 4.5V |