ARF1501, RF MOSFET Transistors RF MOSFET (VDMOS) 1000 V 750 W 40 MHz T1
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809581
- Артикул
- ARF1501
- Бренд
- Microchip Technology
- Gain:
- 17 dB
- Type:
- RF Power MOSFET
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 71 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Gain: | 17 dB |
| Type: | RF Power MOSFET |
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 5 ns |
| Вес, г | 2 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Output Power: | 750 W |
| Product Type: | RF MOSFET Transistors |
| Mounting Style: | Flange Mount |
| Product Category: | RF MOSFET Transistors |
| Структура | MOSFET |
| Operating Frequency: | 40 MHz |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высокочастотный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.5 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | 30 V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 5.5 mS |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 750 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 350mΩ@890mA, 4.5V |