APTM20AM04FG, Module; transistor/transistor; 200V; 278A; SP6C; Idm: 1488A; 1.25kW
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062282071
- Артикул
- APTM20AM04FG
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 300
- Длина
- 108 mm
- Высота
- 21.9 mm
- Ширина
- 62 mm
Цена по запросу
(от 60 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Дискретные полупроводниковые модули Power Module - Mosfet
Технические параметры
| Вес, г | 300 |
| Длина | 108 mm |
| Высота | 21.9 mm |
| Ширина | 62 mm |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время спада | 116 ns |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | SP-6 |
| Время нарастания | 64 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 kW |
| Id - непрерывный ток утечки | 372 A |
| Коммерческое обозначение | POWER MOS 7 |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 88 ns |
| Типичное время задержки при включении | 32 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |