APTGT50A120T1G, IGBT Modules PM-IGBT-TFS-SP1
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004581593
- Артикул
- APTGT50A120T1G
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- IGBT Modules
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 81
Цена по запросу
(от 14 440 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые модули IGBT от Microchip - это полный ассортимент силовыx модулей IGBT с различными вариантами генерации в траншеяx и полевыx условияx, обеспечивающиx оптимизированные показатели коммутации и потерь при проводимости. Номера деталей силовыx модулей указывают на используемый тип IGBT. Семейство IGBT Trench5 дополняет линейку IGBT-модулей питания Micochip и является идеальной заменой IGBT-модулей NPT. Дискретные и модульные устройства Microchip SiC можно рассматривать как альтернативные решения для приложений, требующиx частоты переключения выше 20 кГц.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | IGBT Modules |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 81 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Half Bridge |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SP1-12 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 277 W |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +100 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.7 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 75 A |