APT85GR120J, IGBTs IGBT MOS 8 1200 V 85 A SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809548
- Артикул
- APT85GR120J
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 1
- Продукт
- IGBT Silicon Modules
- Упаковка
- Tube
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 7 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Упаковка | Tube |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | ISOTOP-4 |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Pd - рассеивание мощности | 595 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 118 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |