APT75GP120JDQ3, IGBT Modules IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062570747
- Артикул
- APT75GP120JDQ3
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Product:
- IGBT Modules
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 31
Цена по запросу
(от 8 200 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Product: | IGBT Modules |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 31 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 543 W |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.3 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 128 A |