APT50M75LLLG, MOSFETs POWER MOS 7 MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005439587
- Артикул
- APT50M75LLLG
- Бренд
- Microchip Technology
- Вес, г
- 10
- Упаковка
- Tube
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 5 170 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор POWER MOS 7 МОП-транзистор
Технические параметры
| Вес, г | 10 |
| Упаковка | Tube |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 3 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Microchip / Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 125 nC |
| Время нарастания | 19 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 570 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 57 A |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 75 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 21 ns |
| Типичное время задержки при включении | 8 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |