APT50GR120L, Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 50A; 694W; TO264
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066164472
- Артикул
- APT50GR120L
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 5 580 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | IGBTs |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | TO-264-3 |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Продукт | IGBT Silicon Modules |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | IGBTs |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 694 W |
| Тип продукта | IGBT Modules |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | IGBTs |
| Торговая марка | Microsemi |
| Упаковка / блок | TO-264-3 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Категория продукта | Модули биполярных транзисторов с изолированным зат |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 3.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 117 A |
| Pd - рассеивание мощности | 694 W |
| Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
| Размер фабричной упаковки | 1 |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 117 A |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1.2 kV |
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 30 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.5 V |