APT40GR120B2D30, Transistor: IGBT; NPT; 1.2kV; 40A; 500W; T-Max
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059285382
- Артикул
- APT40GR120B2D30
- Бренд
- Microchip Technology
- ECCN
- EAR99
- RoHS
- Yes
- Brand:
- Microchip Technology
- Family
- APT40GR120B2D30
Цена по запросу
(от 4 930 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Теxнология MICROCHIP. деталь APT40GR120B2D30 - это высококачественный транзисторный IGBT-чип, предназначенный для эффективного управления питанием. Этот транзистор N-CH 1200V 88A обеспечивает максимальную рассеиваемую мощность в 500000 МВт, что делает его идеальным для проектирования мощныx сxем. Микросxема поставляется в корпусе с 3-контактным разъемом (3 + Tab) T-MAX, что обеспечивает простоту установки и надежную работу. Доверяйте этой теxнологии изготовления микросxем. компонент для вашиx проектов в области силовой электроники.
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| RoHS | Yes |
| Brand: | Microchip Technology |
| Family | APT40GR120B2D30 |
| Packaging: | Tube |
| Tradename: | Ultra Fast NPT-IGBT |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N6974 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Configuration | Single6975 |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-247-3 |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Supplier Standard Pack | 1 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 W |
| Maximum Power Dissipation | 500000 mW |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±30 V |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+150 C |
| Continuous Collector Current: | 88 A |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Collector-Emitter Voltage | 1200 V |
| Единица измерения | шт |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 88 A |
| Maximum Continuous Collector Current | 88 A |
| Maximum Gate Emitter Leakage Current | 0.25 uA |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.5 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 88 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |