Моя заявка (0)

APT38F80B2, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW

APT38F80B2, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; Idm: 150A; 1.04kW

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8044110355
Артикул
APT38F80B2
Бренд
Microchip Technology
Вес, г
6.85
Упаковка
Tube
Технология
Si
Вид монтажа
Through Hole
Цена по запросу
(от 5 050 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Power FREDFET - MOS8

Технические параметры

Вес, г6.85
УпаковкаTube
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада60 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrosemi
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора260 nC
Время нарастания65 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности1.04 kW
Id - непрерывный ток утечки41 A
Размер фабричной упаковки1
Vgs - напряжение затвор-исток30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток190 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения200 ns
Типичное время задержки при включении46 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.5 V
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.38 S

Техническая документация