Моя заявка (0)
APT35GP120B2DQ2G, Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 46A; 543W; T-Max

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009477198
Артикул
APT35GP120B2DQ2G
Бренд
Microchip Technology
Case
T-Max
Mounting
THT
Technology
POWER MOS 7®, PT
Вес, г
6.84
Цена по запросу
(от 13 910 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseT-Max
MountingTHT
TechnologyPOWER MOS 7®, PT
Вес, г6.84
Gate charge150nC
ManufacturerMICROCHIP(MICROSEMI)
Turn-on time36ns
Turn-off time0.22µs
Kind of packagetube
Collector current46A
Power dissipation543W
Type of transistorIGBT
Gate-emitter voltage±30V
Pulsed collector current140A
Collector-emitter voltage1.2kV
Features of semiconductor devicesintegrated anti-parallel diode