Моя заявка (0)

APT30N60BC6, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3

APT30N60BC6, Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8009477200
Артикул
APT30N60BC6
Бренд
Microchip Technology
Case
TO247-3
Mounting
THT
Technology
CoolMOS™
Вес, г
5.83
Цена по запросу
(от 2 040 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

CaseTO247-3
MountingTHT
TechnologyCoolMOS™
Вес, г5.83
Gate charge88nC
ManufacturerMICROCHIP(MICROSEMI)
Polarisationunipolar
Корпусto247
Drain current19A
Kind of channelenhanced
Power dissipation219W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.125Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current89A
Особенностивысоковольтный
Пороговое напряжение на затворе5V@4mA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А19
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт219
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В