APT28M120B2, MOSFETs MOSFET MOS 8 1200 V 28 A TO-247 MAX
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004809349
- Артикул
- APT28M120B2
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Fall Time:
- 48 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 31 ns
Цена по запросу
(от 3 760 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Fall Time: | 48 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 31 ns |
| Вес, г | 172 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | T-MAX-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 300 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 1.135 kW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 50 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 170 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 29 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 31 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 530 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 530 mOhms |