Моя заявка (0)
APT14F100B, MOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 14 A TO-247

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004809305
Артикул
APT14F100B
Бренд
Microchip Technology
Case
TO247
Mounting
THT
Technology
POWER MOS 8®
Вес, г
38
Цена по запросу
(от 1 373,34 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор FG, FREDFET, 1000V, TO-247

Технические параметры

CaseTO247
MountingTHT
TechnologyPOWER MOS 8®
Вес, г38
Gate charge0.12µC
ManufacturerMICROCHIP(MICROSEMI)
Polarisationunipolar
Drain current14A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation500W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±30V
On-state resistance980mΩ
Drain-source voltage1kV
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада26 ns
Особенностивысоковольтный
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаMicrochip / Microsemi
Упаковка / блокTO-247-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора120 nC
Время нарастания29 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности500 W
Id - непрерывный ток утечки14 A
Размер фабричной упаковки1
Vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток980 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток1 kV
Пороговое напряжение на затворе3…5
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения95 ns
Типичное время задержки при включении28 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1000
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.16 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт500
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация