APT10086BVRG, MOSFETs MOSFET MOS 5 1000 V 860 mOhm TO-247
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006313868
- Артикул
- APT10086BVRG
- Бренд
- Microchip Technology
- Brand:
- Microchip Technology
- Packaging:
- Tube
- Вес, г
- 6
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 4 680 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Packaging: | Tube |
| Вес, г | 6 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Microchip |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 275 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 370 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 860 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3…5 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 86 Ом |