Моя заявка (0)

APT1001RBVFRG Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А

APT1001RBVFRG Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059743896
Артикул
APT1001RBVFRG
Бренд
Microchip Technology
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Through Hole
Цена по запросу
(от 2 030 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзисторный МОП-транзистор N-CH 1 КВ 11А, 3-контактный (3 + язычка), трубка TO-247

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingThrough Hole
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeThrough Hole
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width5.31(Max)
Package Length16.26(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-247
Standard Package NameTO
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)12
Typical Rise Time (ns)11
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)278000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)150
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)150@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±40
Typical Turn-On Delay Time (ns)12
Maximum Drain Source Voltage (V)1000
Typical Turn-Off Delay Time (ns)55
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)11
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)3050@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)1000@10V