AP4511GM, Транзистор N/P-MOSFET 35В 7/6.1А 2Вт 0.025/0.04Ом [SOIC-8.]
![AP4511GM, Транзистор N/P-MOSFET 35В 7/6.1А 2Вт 0.025/0.04Ом [SOIC-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/304/DOC005304627.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000139298
- Артикул
- AP4511GM
- Бренд
- Advanced Power Electronics
- Вес, г
- 0.15
- Корпус
- SOIC-8
- Структура
- N-Channel, P-Channel
- Особенности
- полевая сборка
Цена по запросу
(от 37,20 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, N+P-канальный, 35 В, -6.1 А/7 А, 2 Вт
Технические параметры
| Вес, г | 0.15 |
| Корпус | SOIC-8 |
| Структура | N-Channel, P-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Крутизна характеристики, S | 9/9 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 35 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7/6.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.025 Ом/7А, 10В/0.04 Ом/6.1А, 10В |