AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А 192Вт [TO-220.]
![AOT8N50, Транзистор N-MOSFET 500В 8А 192Вт [TO-220.]](https://static.epl-electro.ru/lib/413/DOC005413066.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000385291
- Артикул
- AOT8N50
- Бренд
- Alpha & Omega
- Вес, г
- 1
- Корпус
- TO-220
- Структура
- N-Channel
- Особенности
- High Cell Density Trench
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой AOT8N50 от производителя ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, идеально подходящий для ряда электронных проектов благодаря своим техническим характеристикам. Модель отличается монтажом типа THT, обеспечивает ток стока в 5,6 А и работает при напряжении сток-исток до 500 В. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,85 Ом, что делает его эффективным в использовании. Корпус TO220 обеспечивает надежную работу и удобство монтажа. Транзистор AOT8N50 находит свою область применения в различных электронных устройствах, требующих высокой надежности и эффективности. Код товара AOT8N50 подтверждает его уникальность и высокое качество, соответствующее стандартам ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 5.6 Напряжение сток-исток, В 500 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.85 Корпус TO220
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | TO-220 |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | High Cell Density Trench |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 192 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.85 ом при 4А, 10В |